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型号 PSMN4R3-100ES,127
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
PSMN4R3-100ES,127 PDF
代理商 PSMN4R3-100ES,127
标准包装 50
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.3 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9900pF @ 50V
功率 - 最大 338W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 I2PAK
包装 管件
其它名称 568-8596-5
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